表面電阻與薄膜電性量測設備
片電阻與薄膜電性量測設備怎麼選？先看接觸條件、阻值與材料結構
晶圓、ITO／TCO、金屬鍍膜與導電薄膜的電性檢測， 可先依樣品是否允許探針接觸，比較 AiT 四點探針量測系統 與 Delcom 非接觸式量測設備。 再依片電阻範圍、樣品尺寸、導電層結構與量測點數縮小設備選擇。
若樣品涉及 SiC、多層薄膜或導電基材， 請先提供材料牌號、摻雜或導電層資訊， 確認要量測的是整體材料、薄膜或特定層； 不能只依材料名稱判定適用機型。
先依量測方式分流
AiT｜四點探針接觸式量測
樣品可接受探針接觸時， 可評估晶圓、導電薄膜與材料研發的片電阻或電阻率量測。 選型需確認探針間距、接觸負載、表面狀態、 樣品尺寸與量測範圍。
單點抽測可比較手動或桌上型設備； 若需多點分布圖與均勻性分析， 則應確認平台移動方式、點位設定與軟體功能。 半自動機型不代表一定具備自動定位量測。
Delcom｜非接觸式量測
若表面敏感、不希望探針接觸， 或需要導電材料的快速抽測與製程監控， 可評估非接觸式渦電流量測。 需確認探頭量程、感測區域、樣品厚度 與探頭間隙或距離。
多層導電結構可能同時影響讀值， 不能直接假定只量到最上層薄膜。 若需要單層結果，應先確認材料結構、 製程前後量測方式與分析條件。
先確認需要片電阻還是電阻率
片電阻｜Ω／□
常用於比較導電薄膜、晶圓或鍍膜材料的面內導電特性。 建立批次品管時，應固定測點、樣品方向與量測條件， 再比較阻值與分布。
電阻率｜Ω·cm
若以均勻單一導電層的片電阻換算， 需知道該導電層厚度，並使用一致單位： 電阻率 ρ＝片電阻 Rs × 厚度 t，其中 t 以 cm 計。 多層材料或導電基材不能直接套用總厚度。
若要反推膜厚，還需要已知且適用的電阻率； 電性換算厚度與直接測厚的條件不同， 應先確認材料均勻性與校正依據。
詢價前，提供這些資料
- 樣品材質、尺寸、總厚度，以及導電層厚度或結構示意。
- 預估片電阻或電阻率範圍，並註明單位。
- 是否允許探針接觸，以及表面是否有保護層或其他鍍膜。
- 單點、多點分布量測或線上監控，以及點數、節拍與資料輸出需求。
- 既有儀器、測試方法與客戶指定的驗收條件。
支點科技可依樣品條件協助選型與應用需求討論。 設備展示、售後技術支援、維修服務、庫存與交期， 請依產品型號及需求確認。
